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納米管打破半導體記錄 十年內(nèi)取代硅


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標簽納米管
2003年12月中旬在馬里蘭大學進行的一項研究顯示,半導體碳納米管在室溫下傳輸電流的能力好于任何已知的其它物質(zhì)。這一發(fā)現(xiàn)是納米管能夠成為新一代功能強大的電子產(chǎn)品基礎(chǔ)的最新證據(jù)。

  一段時間以來,納米管的導電性已經(jīng)為人們所關(guān)注,但馬里蘭州大學超導研究中心的實驗結(jié)果顯示,碳納米管能夠制造出比以前想象得更好的晶體管。由該大學納米電子研究中心的負責人邁克爾領(lǐng)導的一組研究人員制造了電子流動性比以前的半導體材料高25%、比計算機芯片用硅晶體管高70%的晶體管。半導體材料導電率的記錄是1955年由銦-銻化合物創(chuàng)下的。邁克爾在一份聲明中指出,在使納米管成為新一代功能更強大、尺寸更小的電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)方面,這是重要的一步。

  該研究小組表示,他們在實驗中使用了長度為0.03厘米的碳納米管,這一長度是在以前的半導體實驗中使用的納米管長度的100倍。

  在未來十年內(nèi),納米管可能取代硅成為計算機處理器和內(nèi)存芯片內(nèi)部的晶體管。納米管還可以用來在光纖中傳輸光,或者向特定的細胞中傳輸微型機器。但是,大規(guī)模生產(chǎn)納米管目前仍然是一個挑戰(zhàn),目前也是一個發(fā)展緩慢和代價高昂的過程。

  由于存在二個因素,碳納米管的特性是非常明顯的:其尺寸使得它能夠被用作一維的物體;以及碳元素本身所固有的特性。由于一維的納米管從本質(zhì)上看沒有高度或者寬度,電子能夠在這種材料上流暢地傳播,這意味著,除非材料上存在什么缺陷,電子不會分散或損失掉。
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