2003年12月中旬在馬里蘭大學進行的一項研究顯示，半導體碳納米管在室溫下傳輸電流的能力好于任何已知的其它物質(zhì)。這一發(fā)現(xiàn)是納米管能夠成為新一代功能強大的電子產(chǎn)品基礎(chǔ)的最新證據(jù)。

　　一段時間以來，納米管的導電性已經(jīng)為人們所關(guān)注，但馬里蘭州大學超導研究中心的實驗結(jié)果顯示，碳納米管能夠制造出比以前想象得更好的晶體管。由該大學納米電子研究中心的負責人邁克爾領(lǐng)導的一組研究人員制造了電子流動性比以前的半導體材料高25%、比計算機芯片用硅晶體管高70%的晶體管。半導體材料導電率的記錄是1955年由銦-銻化合物創(chuàng)下的。邁克爾在一份聲明中指出，在使納米管成為新一代功能更強大、尺寸更小的電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)方面，這是重要的一步。

　　該研究小組表示，他們在實驗中使用了長度為0.03厘米的碳納米管，這一長度是在以前的半導體實驗中使用的納米管長度的100倍。

　　在未來十年內(nèi)，納米管可能取代硅成為計算機處理器和內(nèi)存芯片內(nèi)部的晶體管。納米管還可以用來在光纖中傳輸光，或者向特定的細胞中傳輸微型機器。但是，大規(guī)模生產(chǎn)納米管目前仍然是一個挑戰(zhàn)，目前也是一個發(fā)展緩慢和代價高昂的過程。

　　由于存在二個因素，碳納米管的特性是非常明顯的：其尺寸使得它能夠被用作一維的物體；以及碳元素本身所固有的特性。由于一維的納米管從本質(zhì)上看沒有高度或者寬度，電子能夠在這種材料上流暢地傳播，這意味著，除非材料上存在什么缺陷，電子不會分散或損失掉。