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納米制程難度加大 半導體產(chǎn)品換代放緩


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標簽納米
據(jù)臺灣媒體報道,因應半導體業(yè)進入納米技術(shù)時代,2003年國際半導體技術(shù)藍圖(ITRS)日前表示,半導體制程將從2年更新一代的周期延長為3年更新一代;同時,由臺積電主導的65納米以下光罩制作“浸潤式微影技術(shù)”(Immersion Lithography),也與無線通訊IC制程一同增列于2003年ITRS藍圖中,供全球半導體業(yè)遵循。

  由歐盟、日本、韓國、美國與臺灣半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會所組成的ITRS,每年開會提出技術(shù)藍圖修正。代表成員之一的旺宏資深副總經(jīng)理暨技術(shù)總監(jiān)盧志遠表示,隨著納米技術(shù)難度提高,業(yè)者投資腳步放慢,為避免全球多數(shù)業(yè)者跟不上技術(shù)時程,導致被淘汰的厄運,2003年技術(shù)藍圖確定改為每2年更新一代延長為3年。

??臺積電邏輯技術(shù)發(fā)展處協(xié)理孫元成介紹該公司大力推動的“浸潤式微影技術(shù)”是在193納米波長曝光機的基礎(chǔ)上,于光源與晶圓之間加入水,以使波長縮短到132納米的微影技術(shù),比起目前一般干式微影設(shè)備,此技術(shù)可支持65納米、45納米,甚至到32納米制程,可說是微影技術(shù)的一大突破。

??無線通訊IC越居通訊技術(shù)主流,硅半導體業(yè)目前已可量產(chǎn)頻率高達5GHZ的射頻IC,硅晶圓與硅鍺晶圓(SiGe)技術(shù)兼容性高,技術(shù)可望推升到100GHZ的高水平,這次ITRS技術(shù)藍圖也首次將無線通訊IC獨立增列于其中。
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