在德國舉行的納米技術論壇上，研究人員表示，試圖采用該技術填補未來半導體制造藍圖中的空隙。

    英飛凌科技正在開發(fā)面向通信技術的納米技術應用。英飛凌的一位研究人員Karl Joachim Ebeling介紹了一種能夠用于控制半導體的帶寬為60 Gbps的SiGe晶體管。但他表示，設計師還不太清楚這種元件的全部容量�！澳呛茈y測量，”Ebeling說。然而，可以肯定的是，SiGe晶體管提供更高開關電壓，“至少與CMOS一樣出色，”他補充道。

    盡管英飛凌在超薄絕緣硅晶圓上采用高達45納米節(jié)點的平面MOSFET，但該公司表示正在考慮用于亞30納米節(jié)點SOI上的非平面FinFET結構。Ebeling表示英飛凌正在研究高開關電流比率的FinFET，并有意在其FinFET存儲器中采用該器件，據(jù)他稱這種類型的元件將是全球首創(chuàng)。

    芯片設計師在采用納米技術時還遭遇到一個老問題：隨著結構越來越小，掩膜成本以指數(shù)級增長�！拔覀冾A計一套掩膜的費用為530萬美元，” Ebeling說。此外，曝光系統(tǒng)成本也爆炸性飛漲，預計每套步進器的價值大約為8200萬美元。