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硅基500um石墨烯單晶
硅基500um石墨烯單晶

參考價(jià)格

1萬元以下

型號

101730-101735

品牌

MKNANO

產(chǎn)地

江蘇南京

樣本

暫無
南京牧科納米科技有限公司

會員

|

第10年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 純度:

    99.99%
  • 目數(shù):

    500um
  • 品級:

    A級
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背景介紹:

目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。

石墨烯優(yōu)異的電、光、強(qiáng)度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學(xué)、自旋電子學(xué)、光電子學(xué)、太陽能電池、傳感器等領(lǐng)域有著重要的潛在應(yīng)用,但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術(shù)是制約其進(jìn)入實(shí)際應(yīng)用的瓶頸之一。

牧科納米技術(shù)團(tuán)隊(duì)經(jīng)過長時(shí)間的技術(shù)攻關(guān),不用昂貴的金屬基體,在常見的銅襯底,以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法,成功制備出了100微米到幾個(gè)毫米級六邊形單晶石墨烯及其構(gòu)成的石墨烯薄膜。而且可以轉(zhuǎn)移到任意襯底上,方便取用。

該方法轉(zhuǎn)移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量,將其轉(zhuǎn)移到Si/SiO2基體上制成場效應(yīng)晶體管,測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達(dá)7100cm2V-1s-1。

常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術(shù)的突破,為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導(dǎo)電薄膜等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用奠定了材料基礎(chǔ)。

石墨烯單晶表征數(shù)據(jù):

500um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學(xué)顯微鏡照片:


創(chuàng)新點(diǎn)

單晶尺寸:500um
襯底:銅襯底

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產(chǎn)品質(zhì)量

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10分

易用性

10分

性價(jià)比

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目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法,有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學(xué)氣相沉積法(CVD),前兩種方法效率低,不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯,一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼

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