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背景介紹：
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。 石墨烯優(yōu)異的電、光、強度等眾多優(yōu)異性質(zhì)使其在電子學、自旋電子學、光電子學、太陽能電池、傳感器等領域有著重要的潛在應用，但大規(guī)模高質(zhì)量制備技術是制約其進入實際應用的瓶頸之一。 牧科納米技術團隊經(jīng)過長時間的技術攻關，不用昂貴的金屬基體，在常見的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法，成功制備出了100微米到幾個毫米級六邊形單晶石墨烯及其構成的石墨烯薄膜。而且可以轉移到任意襯底上，方便取用。 該方法轉移的單晶石墨烯具有很高的質(zhì)量，將其轉移到Si/SiO2基體上制成場效應晶體管，測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達7100cm2V-1s-1。 常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術的突破，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導電薄膜等領域的實際應用奠定了材料基礎。 石墨烯單晶表征數(shù)據(jù)： 500um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學顯微鏡照片：
單晶尺寸：500um
襯底：銅襯底
11月25日，記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所獲悉，該所信息功能材料國家重點實驗室研究員謝曉明領導的石墨烯研究團隊在國家重大專項“晶圓級石墨烯材料和器件基礎研究”等項目的支持下，在國際上首次實現(xiàn)
【科技前沿】科學家發(fā)明柔性電子納米材料-可隨電壓改變形狀發(fā)表時間：2015-11-28 點擊：14 屯特大學MESA+研究中心的研究者和幾個其他機構的研究者發(fā)明了一種“柔性電子”納米材料。
目前制備高質(zhì)量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼
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