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上海研倍新材料 專業(yè)生產(chǎn)金屬粉末 TbSi2 金屬粉末

1、產(chǎn)品信息

2、產(chǎn)品規(guī)格

樣品測試包裝：客戶指定（＜1kg / 真空密封瓶）

樣品產(chǎn)品包裝：1kg / 真空密封瓶

常規(guī)產(chǎn)品包裝：5kg/10kg/25kg

備注：采用雙層真空包裝，內(nèi)部充入高純氬氣保護，外部為防潮鋁箔袋封裝，支持定制包裝規(guī)格。需存放于干燥、通風、無腐蝕性氣體的環(huán)境中，避免與空氣、水汽接觸，遠離酸、堿、強氧化劑。

3、產(chǎn)品概述

二硅化鋱（TbSi?）粉末由上海研倍新材料通過真空感應(yīng)熔煉 - 氣霧化工藝或高溫固相合成法精心制備。產(chǎn)品具備高純度特性，確保在各類應(yīng)用場景中展現(xiàn)穩(wěn)定且優(yōu)異的性能；粒徑均勻分布，有利于材料在實際使用時的分散性與一致性。作為稀土硅化物，TbSi?晶體具有獨特的晶相結(jié)構(gòu)，鋱（Tb）元素特殊的電子構(gòu)型賦予其一系列**性能。它具有較高的硬度和密度，能夠承受較大外力沖擊且在結(jié)構(gòu)上保持穩(wěn)定。在熱學性能方面表現(xiàn)突出，擁有較高的熔點，達 1680℃ ，并且高溫穩(wěn)定性**，抗氧化溫度可達 850℃以上，可在高溫環(huán)境中長期維持自身結(jié)構(gòu)和性能穩(wěn)定。此外，二硅化鋱在電學和磁學領(lǐng)域呈現(xiàn)出獨特性質(zhì)，在特定條件下能展現(xiàn)出特殊的電學傳導和磁響應(yīng)現(xiàn)象?；谶@些特性，二硅化鋱在眾多前沿領(lǐng)域具有關(guān)鍵應(yīng)用價值，是推動現(xiàn)代科技發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料。

4、產(chǎn)品用途

電子與半導體領(lǐng)域：憑借二硅化鋱獨特的電學性能，可用于制造集成電路中的特殊電子元件，例如在一些對電子遷移率和信號傳輸穩(wěn)定性要求極高的高頻器件、高速邏輯電路中，二硅化鋱能夠優(yōu)化電子的傳導路徑，降低電阻，提高電子信號的傳輸速度和準確性，進而提升芯片的整體運行效率和性能 。同時，其在半導體器件的接觸電極制造方面也有應(yīng)用潛力，可改善電極與半導體材料之間的接觸特性，增強電子器件的可靠性 。

磁性材料及相關(guān)應(yīng)用：由于鋱元素本身具有顯著的磁性，二硅化鋱在磁性材料領(lǐng)域用途廣泛。可用于制備高性能的永磁體，這種永磁體在電機、發(fā)電機、磁懸浮技術(shù)等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用。在電機中使用二硅化鋱基永磁體，能夠提高電機的效率和功率密度，實現(xiàn)更高效的能量轉(zhuǎn)換，應(yīng)用于電動汽車、工業(yè)驅(qū)動電機等設(shè)備，有助于提升能源利用效率；在磁懸浮技術(shù)中，其可提供穩(wěn)定且強大的磁場，保障磁懸浮系統(tǒng)的穩(wěn)定運行 。此外，在磁記錄介質(zhì)方面，二硅化鋱能夠提升數(shù)據(jù)存儲的密度和讀寫速度，推動數(shù)據(jù)存儲技術(shù)的發(fā)展 。

光學領(lǐng)域：二硅化鋱對特定波長的光具有獨特的吸收和發(fā)射特性，可應(yīng)用于光學濾波器、發(fā)光二極管（LED）等光學器件的制造。在光學濾波器中，能夠精準篩選特定波長的光信號，實現(xiàn)光信號的高效分離與處理，在光通信、光譜分析等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用；在 LED 制造中，可作為發(fā)光材料的添加劑，優(yōu)化 LED 的發(fā)光性能，改變發(fā)光顏色、提高發(fā)光效率，滿足不同場景下對光源的多樣化需求 。

核技術(shù)與輻射防護領(lǐng)域：考慮到二硅化鋱的穩(wěn)定性以及對部分射線的吸收特性，它可用于核反應(yīng)堆內(nèi)部的一些結(jié)構(gòu)材料或防護涂層的制備。作為結(jié)構(gòu)材料，能在高溫、高輻射等極端環(huán)境下保持穩(wěn)定，保障反應(yīng)堆內(nèi)部結(jié)構(gòu)的完整性；作為防護涂層，可有效阻擋部分輻射，降低輻射對周圍設(shè)備和人員的危害，提升核設(shè)施運行的安全性 。同時，在一些放射性醫(yī)療設(shè)備中，二硅化鋱也可能用于輻射屏蔽部件的制造，保護醫(yī)護人員和患者免受不必要的輻射傷害 。