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一、物理特性

外觀與結(jié)構(gòu)

顆粒形態(tài)：顆粒呈不規(guī)則狀或近球形，表面光滑，粒徑分布較窄（可通過分級(jí)工藝控制在微米級(jí)，如 1-100μm）。

晶體結(jié)構(gòu)：主要成分為結(jié)晶態(tài)二氧化硅（石英），具有穩(wěn)定的硅氧四面體結(jié)構(gòu)。

物理性能參數(shù)

密度 2.65 g/cm3 與石英密度接近，堆積密度隨粒徑減小而降低。

硬度 莫氏硬度 7 級(jí) 硬度高，耐磨性能優(yōu)異。

熔點(diǎn) 1713℃ 耐高溫，可用于高溫環(huán)境下的材料填充。

熱導(dǎo)率 1.3-1.5 W/(m·K) 導(dǎo)熱性較低，屬于隔熱材料范疇。

線膨脹系數(shù) 0.5-1.0×10??/℃ 熱膨脹系數(shù)小，尺寸穩(wěn)定性**。

介電常數(shù) 3.8-4.2（1MHz） 介電性能優(yōu)異，適合電子封裝材料。

二、化學(xué)特性

高純度與化學(xué)穩(wěn)定性

主成分：SiO?含量≥99.7%，雜質(zhì)（如 Fe?O?、Al?O?、CaO 等）含量極低，化學(xué)惰性強(qiáng)。

耐腐蝕性：

耐酸腐蝕：除氫氟酸（HF）和熱濃磷酸外，幾乎不與其他酸反應(yīng)。

耐堿腐蝕：在強(qiáng)堿（如 NaOH、KOH）溶液中緩慢反應(yīng)，生成硅酸鹽和水，但反應(yīng)速率遠(yuǎn)低于低純度硅質(zhì)材料。

化學(xué)反應(yīng)性

高溫反應(yīng)：

與金屬氧化物（如 Al?O?）在高溫下可生成硅鋁酸鹽（如莫來石），用于耐火材料。

與碳在高溫（>1600℃）下反應(yīng)生成碳化硅（SiC），用于磨料或陶瓷。

表面活性：

表面羥基（-OH）基團(tuán)可通過硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行化學(xué)改性，增強(qiáng)與聚合物（如環(huán)氧樹脂、硅橡膠）的界面結(jié)合力。

電學(xué)與光學(xué)特性

絕緣性：介電損耗低（<0.001），體積電阻率高（>101? Ω?cm），是優(yōu)良的電絕緣材料。

透光性：在紫外線和可見光范圍內(nèi)透光率高，可用于光學(xué)玻璃或透明陶瓷填料。

三、應(yīng)用場(chǎng)景與優(yōu)勢(shì)

電子信息領(lǐng)域：作為環(huán)氧封裝材料的填料，利用其低膨脹系數(shù)和高絕緣性，提升芯片可靠性。

電工電氣領(lǐng)域：用于制造絕緣子、干式變壓器澆注料，發(fā)揮耐高溫和絕緣性能。

陶瓷與耐火材料：提高陶瓷制品的致密度和機(jī)械強(qiáng)度，或作為耐火骨料用于高溫窯爐。

涂料與膠粘劑：改善涂層耐磨性、耐候性和化學(xué)穩(wěn)定性，同時(shí)降低收縮率。