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4、6英寸低阻高摻p型碳化硅襯底品牌
華創(chuàng)晶瑞產(chǎn)地
浙江樣本
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產(chǎn)品介紹
利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質(zhì)等優(yōu)勢，能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求
主要指標(biāo)
晶型：4H/6H-P型
尺寸：99.5~100 mm 145.5-150.0mm
厚度：350±25 μm
微管密度：＜0.1 cm-2
電阻率：0.06~0.11 Ω?cm
表面粗糙度：Ra<0.2nm
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