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應(yīng)用場景：太陽能電池及半導(dǎo)體用單晶硅生長
優(yōu)點
1.采用高強度等靜壓石墨材料制作，具備高密度、高強度、抗腐蝕性能強，雜質(zhì)含量低，使用壽命長，可有效阻止內(nèi)部熱量向外傳導(dǎo)，減少熱量損失，構(gòu)建熱場空間，降低單爐次運行成本。
2.執(zhí)行嚴(yán)格的全工序品質(zhì)控制，保證產(chǎn)品精度和隔熱性能。
| 國產(chǎn)提純石墨參數(shù) | |||
| 密度 | 1.82g/cm3 | 灰分 | 50ppm（可二次純化至5ppm） |
| 抗折強度 | 51Mpa | 抗壓強度 | 115Mpa |
| 顆粒度 | 0.01mm | 電阻率 | 12μΩ.m |
| 肖氏硬度 | 65HSD | 熱膨脹系數(shù)（室溫-600℃） | 5.8x10-6/℃ |
| 彈性模量 | 12Gpa | 氣孔率 | 12% |
| 熱導(dǎo)率（100℃） | 110W/m.k | ||
| 進(jìn)口提純石墨參數(shù) | |||
| 密度 | 1.82g/cm3 | 灰分 | 50ppm（可二次純化至5ppm） |
| 抗折強度 | 58Mpa | 電阻率 | 14μΩ.m |
| 顆粒度 | 0.01mm | 氣孔率 | 8% |
| 肖氏硬度 | 65HSD | 熱導(dǎo)率（100℃） | 105W/m.k |
應(yīng)用場景：太陽能電池及半導(dǎo)體用單晶硅生長
優(yōu)點
1.采用高強度等靜壓石墨材料制作，具備高密度、高強度、抗腐蝕性能強，雜質(zhì)含量低，使用壽命長，可有效阻止內(nèi)部熱量向外傳導(dǎo)，減少熱量損失，構(gòu)建熱場空間，降低單爐次運行成本。
2.執(zhí)行嚴(yán)格的全工序品質(zhì)控制，保證產(chǎn)品精度和隔熱性能。
應(yīng)用場景：太陽能電池及半導(dǎo)體用單晶硅生長
優(yōu)點
1.采用高強度等靜壓石墨材料制作，具備高密度、高強度、抗腐蝕性能強，雜質(zhì)含量低，使用壽命長，可有效阻止內(nèi)部熱量向外傳導(dǎo)，減少熱量損失，構(gòu)建熱場空間，降低單爐次運行成本。
2.執(zhí)行嚴(yán)格的全工序品質(zhì)控制，保證產(chǎn)品精度和隔熱性能。
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