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YB-FM-InAs品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
暫無密度（kg/m3）：
5.6-5.8 g/cm3形狀：
不規(guī)則狀純度：
99.99%～99.999%目數(shù)：
可定制品級：
4N-5N制作方法：
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1、產(chǎn)品信息
InAs 是一種直接帶隙半導體材料,在常溫下為固體結(jié)晶。
它具有較高的熔點(942°C)和沸點(3,444°C),熱穩(wěn)定性良好。
InAs 為共價鍵化合物,在常溫下不溶于水,具有一定的化學穩(wěn)定性。
此外,InAs 還表現(xiàn)出優(yōu)異的電子和光學特性,是制造紅外光電子器件的理想材料。
2、產(chǎn)品規(guī)格
1、樣品測試包裝客戶指定（＜1kg/袋裝）
2、樣品產(chǎn)品包裝（1kg/袋裝）
3、常規(guī)產(chǎn)品包裝（1kg/2kg/5kg/10kg）
備注：內(nèi)：充惰性氣體 外：鋁箔袋真空。可根據(jù)客戶要求指定包裝。
3、產(chǎn)品概述
產(chǎn)品通過“選用凈化原料+生產(chǎn)純化工藝+品控智能控制”制備生成，產(chǎn)品具有技術(shù)含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學性能穩(wěn)定的特點。
4、產(chǎn)品用途
主要用作III-V族化合物半導體器件(如高電子遷移率晶體管、激光器、光探測器)的活性層材料。
還可用于制造近紅外發(fā)光二極管、太陽能電池、光纖通信等光電功能器件。
此外,InAs 還是制備其他III-V族化合物的前驅(qū)體,在光電子和微電子領(lǐng)域有廣泛應用前景。
暫無數(shù)據(jù)！
高熵合金（High entropy alloys，HEAs）是由4種或4種以上元素以等摩爾比或近似等摩爾比組成的具有簡單晶體結(jié)構(gòu)的合金。與傳統(tǒng)合金不同，高熵合金沒有主體元素，傾向于形成簡單固溶體結(jié)構(gòu)，
摘 要為改善難熔高熵合金的熱加工性，通過等離子輔助氣體合金化的方式在熔煉氣氛中通入 H?和 Ar 的混合氣體，使氫溶入TiZrHfNbMo 難熔高熵合金中。研究了不同 H 含量下，TiZrHfNbMo
研究背景7xxx系列鋁合金，如7075鋁合金，具有重量輕、強度高、耐腐蝕性能好、抗疲勞性能優(yōu)異等特點，是航空航天和汽車工業(yè)的高性能工程合金。隨著航空航天工業(yè)的蓬勃發(fā)展，傳統(tǒng)的加工方法，如鑄造、激光焊接
研究背景金屬3D打印技術(shù)（又稱金屬增材制造）相較于傳統(tǒng)減材工藝，在復雜構(gòu)件一體化成型、輕量化設計和材料利用率方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。然而該技術(shù)目前僅能穩(wěn)定應用于316L、IN718等有限種類的商用合金，其
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