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砷化銦 InAs 合金粉末
砷化銦 InAs 合金粉末

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型號

YB-FM-InAs

品牌

上海研倍

產(chǎn)地

上海

樣本

暫無
上海研倍新材料科技有限公司

白金會員

|

第1年

|

生產(chǎn)商

工商已核實

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核心參數(shù)
  • 密度(kg/m3):

    5.6-5.8 g/cm3
  • 形狀:

    不規(guī)則狀
  • 純度:

    99.99%~99.999%
  • 目數(shù):

    可定制
  • 品級:

    4N-5N
  • 制作方法:

    氣相沉積法
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1、產(chǎn)品信息

  • InAs 是一種直接帶隙半導體材料,在常溫下為固體結(jié)晶。

  • 它具有較高的熔點(942°C)和沸點(3,444°C),熱穩(wěn)定性良好。

  • InAs 為共價鍵化合物,在常溫下不溶于水,具有一定的化學穩(wěn)定性。

  • 此外,InAs 還表現(xiàn)出優(yōu)異的電子和光學特性,是制造紅外光電子器件的理想材料。

2、產(chǎn)品規(guī)格

1、樣品測試包裝客戶指定(<1kg/袋裝)

2、樣品產(chǎn)品包裝(1kg/袋裝)

3、常規(guī)產(chǎn)品包裝(1kg/2kg/5kg/10kg)

備注:內(nèi):充惰性氣體 外:鋁箔袋真空。可根據(jù)客戶要求指定包裝。

3、產(chǎn)品概述

產(chǎn)品通過“選用凈化原料+生產(chǎn)純化工藝+品控智能控制”制備生成,產(chǎn)品具有技術(shù)含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學性能穩(wěn)定的特點。

4、產(chǎn)品用途

主要用作III-V族化合物半導體器件(如高電子遷移率晶體管、激光器、光探測器)的活性層材料。

還可用于制造近紅外發(fā)光二極管、太陽能電池、光纖通信等光電功能器件。

此外,InAs 還是制備其他III-V族化合物的前驅(qū)體,在光電子和微電子領(lǐng)域有廣泛應用前景。

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