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面議型號(hào)
YB-FM-InAs品牌
上海研倍產(chǎn)地
上海樣本
暫無制作方法：
氣相沉積法密度（kg/m3）：
5.6-5.8 g/cm3形狀：
不規(guī)則狀純度：
99.99%～99.999%目數(shù)：
可定制品級(jí)：
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1、產(chǎn)品信息
InAs 是一種直接帶隙半導(dǎo)體材料,在常溫下為固體結(jié)晶。
它具有較高的熔點(diǎn)(942°C)和沸點(diǎn)(3,444°C),熱穩(wěn)定性良好。
InAs 為共價(jià)鍵化合物,在常溫下不溶于水,具有一定的化學(xué)穩(wěn)定性。
此外,InAs 還表現(xiàn)出優(yōu)異的電子和光學(xué)特性,是制造紅外光電子器件的理想材料。
2、產(chǎn)品規(guī)格
1、樣品測(cè)試包裝客戶指定（＜1kg/袋裝）
2、樣品產(chǎn)品包裝（1kg/袋裝）
3、常規(guī)產(chǎn)品包裝（1kg/2kg/5kg/10kg）
備注：內(nèi)：充惰性氣體 外：鋁箔袋真空?？筛鶕?jù)客戶要求指定包裝。
3、產(chǎn)品概述
產(chǎn)品通過“選用凈化原料+生產(chǎn)純化工藝+品控智能控制”制備生成，產(chǎn)品具有技術(shù)含量高、晶相純、磁性異物少、含水量低、化學(xué)性能穩(wěn)定的特點(diǎn)。
4、產(chǎn)品用途
主要用作III-V族化合物半導(dǎo)體器件(如高電子遷移率晶體管、激光器、光探測(cè)器)的活性層材料。
還可用于制造近紅外發(fā)光二極管、太陽能電池、光纖通信等光電功能器件。
此外,InAs 還是制備其他III-V族化合物的前驅(qū)體,在光電子和微電子領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用前景。
暫無數(shù)據(jù)！
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