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YTC100B-MCZ電子級(jí)單晶爐
YTC100B-MCZ電子級(jí)單晶爐

參考價(jià)格

面議

型號(hào)

YTC100B-MCZ電子級(jí)單晶爐

品牌

浙江晶泰

產(chǎn)地

浙江

樣本

暫無(wú)
浙江晶泰半導(dǎo)體有限公司

會(huì)員

|

第2年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 非金屬電熱元件:

    其他
  • 金屬電熱元件:

    其他
  • 燒結(jié)氣氛:

    其他
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爐室資料Puller Data
坩堝直徑 Crucible  diameter:18〞- 22〞
單晶直徑 Crystal diameter:6〞- 8〞(150-200mm)
裝料量 Charge size:60-90kg
喉管直徑 Throat Diameter:14 ”(356mm)
主爐膛內(nèi)徑 Main furnace Diameter:¢1000mm
主爐膛高度 Main furnace Height:1250mm
爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening:15”×82”(380mm×2082mm)
主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
輔助真空泵抽速 (Recommended) Aux:60 cfm (1700 l/min)
排氣方式 Exhaust:底排氣 Exhaust end
副室類型 Deputy room type:全開門 Full-door
爐蓋類型 Lid Type:穹頂 Dome
磁場(chǎng)類型 Field type:勾型、水平型(可選) hook type, horizontal type (optional)
有導(dǎo)流筒提升、激光測(cè)距、CCD控徑
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料 providing secondary feed

坩堝驅(qū)動(dòng)單位 Crucible drive unit
提升速度 Lifting speed:  0-10 in/hr (0-254mm/hr)
*快提升速度 Crucible Jog Speed: (>250mm/min)
行程 Stroke:  18〞(457mm)
轉(zhuǎn)速 Rotation speed: 0-20 rpm(可逆)

晶驅(qū)動(dòng)單位 Crystal drive unit
提升速度 Lifting speed: 0-20 in/hr (0-508mm/hr)
快速提升速度 Seed Jod Speed: 20 in/min (508mm/min)
轉(zhuǎn)速 Rotation speed: 0-50 rpm(可逆)

廠務(wù)要求Utilities
電源電壓(Source Voltage) :380V±10%
頻率 (Frequency):50/60 Hz
加熱功率 (Heating Power):IGBT 165KW底部加熱50KW
環(huán)境溫度(Ambient Temperature):5~40
相對(duì)濕度(Relative Humidity):<70%
入口端**水溫 (Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
*小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 l/min) total
入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm2)  
主氬氣流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹掃流量 (Purge Flow):100 slpm
合計(jì)(Facility Total):300 slpm
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3kg/cm2)
壓縮空氣(Air)
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:90psi (6.3kg/cm2)

控制系統(tǒng)System Control
自動(dòng)過程 Automatic process
標(biāo)準(zhǔn)PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard

外形尺寸Dimensions(approx.)
總高度 (closed):6433mm
寬 Width (W):2200mm
深 Depth (D):2368mm


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10分

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10分

易用性

10分

性價(jià)比

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