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該裝備是將石墨制品、碳?xì)只騍iC粉體等通過(guò)高溫焙燒和工藝氣體定向流動(dòng)，經(jīng)過(guò)物理擴(kuò)散、化學(xué)反應(yīng)使雜質(zhì)元素從基體中排出，形成灰分含量低（5ppmw）、金屬含量降到PPB數(shù)量級(jí)，從而達(dá)到半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)對(duì)石墨品質(zhì)（或粉體原料）要求的工藝過(guò)程。
技術(shù)參數(shù)
**溫度： 2500℃ 常用工作溫度：2200℃
溫度均勻度：≤±5℃ 儀表控溫精度：±1℃
抽真空時(shí)間：≤120min
| 有效工作空間( mm) | **溫度(℃) |
| 840-840-660 | 2200 |
| Φ1380-900 | 2500 |
| Φ1300-820 | 2500 |
| Φ1300-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-1050 | 2500 |
| Φ1400mm-2000 | 2500 |
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