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低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備( LPCVD)品牌
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設(shè)備特點(diǎn)
●溫度控制采用串級控制方式，對基片實(shí)際溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)智能控制。
●裝載采用SiC懸臂槳，避免了與工藝管磨擦產(chǎn)生粉塵。
●反應(yīng)氣體分子送氣和族射送氣，避免氣相反應(yīng)產(chǎn)生粉塵和改善均勻性。
●工作壓力閉環(huán)自動(dòng)控制，提高工藝穩(wěn)定性和重復(fù)性。
技術(shù)指標(biāo)
●基片尺寸：4,6,8英寸圓片
●工作溫度：500～900℃
●工藝管路：1～3管
●恒溫區(qū)長度：400mm~800mm
●控溫精度：±0.5℃
●極限真空度：<1Pa
●膜厚均勻性：Si3N4：±3%； Poly-Si：±4%； TEOS-SiO2：±3%
應(yīng)用范圍
用于半導(dǎo)體器件、電力電子器件、光電子等行業(yè)氮化硅、多晶硅或氧化硅薄膜的制備
暫無數(shù)據(jù)！
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