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裝置概述
本裝置是CVD反應裝置，擁有四個氣路，兩套獨立的氣路控制單元，加熱爐安裝在裝置的側(cè)面上下安裝，精密的儀表控制加熱爐爐溫和氣體流量，具有可靠性高，操作簡便，結(jié)構(gòu)緊湊的特點。該裝置可用于化學沉積及與CVD特點相似的材料制備過程。
技術(shù)參數(shù)
- 氣路：1-4（任選）；
- 加熱爐：1-2（任選），加熱爐溫度Max：1000 ℃
- 氣體質(zhì)量流量器：0 - 500 mL/min（任選）；
- 工作壓力：常壓；
- 溫度控制：± 0.5 ℃；
- 計算機控制（任選）。
暫無數(shù)據(jù)！
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