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Innovate T5型全譜直讀光譜儀采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)和制造工藝技術(shù)，應(yīng)用了日本濱松公司***的CMOS信號(hào)采集元件，每塊CMOS都可以單獨(dú)設(shè)值火花個(gè)數(shù)，與國(guó)際光譜儀**技術(shù)同步，采用真空光室設(shè)計(jì)及全數(shù)字激發(fā)光源。這款CMOS光譜儀，既包含了CCD光譜儀的全譜特性，又具備PMT光譜儀對(duì)非金屬元素的**檢出限，整機(jī)設(shè)計(jì)合理，操作簡(jiǎn)單易學(xué)，具有數(shù)據(jù)*準(zhǔn)，長(zhǎng)期穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。

應(yīng)用領(lǐng)域

冶金、鑄造、機(jī)械、科研、商檢、汽車(chē)、石化、造船、電力、航空、核電、金屬和有色冶煉、加工和回收工業(yè)中的各種分析。

可檢測(cè)基體

鐵基、銅基、鋁基、鎳基、鈷基、鎂基、鈦基、鋅基、鉛基、錫基、銀基。

主要技術(shù)參數(shù)

v光學(xué)系統(tǒng)：帕型-龍格 羅蘭圓全譜真空型光學(xué)系統(tǒng)

v波長(zhǎng)范圍：140~680nm

v光柵焦距：401mm

v探 測(cè) 器：高性能CMOS陣列/CCD陣列

v光源類(lèi)型：數(shù)字光源，高能預(yù)燃技術(shù)（HEPS）

v放電頻率：100-1000Hz

v放電電流：*大500A

v工作電源：AC220V 50/60Hz 1000W

v儀器尺寸：780*565*360mm

v儀器重量：78kg

v檢測(cè)時(shí)間：依據(jù)樣品類(lèi)型而定，一般20S左右

v電極類(lèi)型：鎢材噴射電極

v分析間隙：4mm

v其他功能：真空，溫度，軟件自動(dòng)控制；壓力，通訊監(jiān)測(cè)

主要特點(diǎn)

v高性能光學(xué)系統(tǒng)

采用高精度的CMOS元件可精確測(cè)定非金屬元素如C、P、S、As、B、N以及各種金屬元素含量；測(cè)定結(jié)果*準(zhǔn)，重復(fù)性及長(zhǎng)期穩(wěn)定性**。

v自動(dòng)光路校準(zhǔn)

自動(dòng)光路校準(zhǔn)，光學(xué)系統(tǒng)自動(dòng)進(jìn)行譜線(xiàn)掃描，確保接收的正確性，免除繁瑣的波峰掃描工作；

儀器自動(dòng)識(shí)別特定譜線(xiàn)與原存儲(chǔ)線(xiàn)進(jìn)行對(duì)比，確定漂移位置，找出分析線(xiàn)當(dāng)前的像素位置進(jìn)行測(cè)定。

v插拔式透鏡設(shè)計(jì)

真空光學(xué)系統(tǒng)采用獨(dú)特的入射窗與真空隔離，可在真空系統(tǒng)工作狀態(tài)下進(jìn)行操作，光學(xué)透鏡采用插拔式透鏡結(jié)構(gòu)，日常清洗維護(hù)方便快捷。

v真空防返油技術(shù)

多級(jí)隔離的真空防返油技術(shù)，采用真空壓差閥門(mén)保證真空泵不工作時(shí)真空光室與真空完全隔離；中間增加了真空濾油裝置，確保真空泵中油不進(jìn)入真空室，保障CMOS檢測(cè)器及光學(xué)元件在可靠環(huán)境中工作。

v開(kāi)放式激發(fā)臺(tái)

開(kāi)放式激發(fā)臺(tái)機(jī)靈活的樣品夾設(shè)計(jì)，以滿(mǎn)足客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)的各種形狀大小的樣品分析；配合使用小樣品夾具，線(xiàn)材*低分析可達(dá)到3mm。

v噴射電極技術(shù)

采用國(guó)際***的噴射電極技術(shù)，使用鎢材料電極，在激發(fā)狀態(tài)下，電極周?chē)鷷?huì)形成氬氣噴射氣流，這樣在激發(fā)過(guò)程中激發(fā)點(diǎn)周?chē)粫?huì)與外界空氣接觸，提高激發(fā)精度；配上獨(dú)特氬氣氣路設(shè)計(jì)，大大降低了氬氣使用量，也降低客戶(hù)使用成本。

v集成氣路模塊

氣路系統(tǒng)采用氣路模塊免維護(hù)設(shè)計(jì)，替代電磁閥和流量計(jì)，電極自吹掃功能，為激發(fā)創(chuàng)造了良好的環(huán)境。

v數(shù)字化激發(fā)光源

數(shù)字激發(fā)光源，采用國(guó)際*為先進(jìn)的等離子激發(fā)光源，超穩(wěn)定能量釋放在氬氣環(huán)境中激發(fā)樣品；可任意調(diào)節(jié)光源的各項(xiàng)參數(shù)，滿(mǎn)足各種不同材料的激發(fā)要求。

v高速數(shù)據(jù)采集

儀器采用高性能CMOS檢測(cè)元件，具有每塊CMOS單獨(dú)超高速數(shù)據(jù)采集分析功能，并能自動(dòng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)控制光室溫度、真空度、氬氣壓力、光源、激發(fā)室等模塊的運(yùn)行狀態(tài)。

v以太數(shù)據(jù)傳輸

計(jì)算機(jī)和光譜儀之間使用以太網(wǎng)卡和TCP/IP協(xié)議，避免電磁干擾，光纖老化的弊端，同時(shí)計(jì)算機(jī)和打印機(jī)完全外置，方便升級(jí)和更換；可以遠(yuǎn)程監(jiān)控儀器狀態(tài)，多通路操控系統(tǒng)控制和監(jiān)控所有的儀器參數(shù)。

v預(yù)制工作曲線(xiàn)

備有不同材質(zhì)和牌號(hào)的標(biāo)樣庫(kù)，儀器出廠(chǎng)時(shí)工廠(chǎng)預(yù)制工作曲線(xiàn)，方便安裝調(diào)試和及時(shí)投入生產(chǎn)；根據(jù)元素和材質(zhì)對(duì)應(yīng)的分析程序而稍有差異，激發(fā)和測(cè)試參數(shù)儀器出廠(chǎng)時(shí)已經(jīng)調(diào)節(jié)好，根據(jù)分析程序可自動(dòng)選擇*優(yōu)測(cè)試條件。

v分析速度快

分析速度快，僅需20秒即可完成一次分析；針對(duì)不同的分析材料，通過(guò)設(shè)置預(yù)燃時(shí)間及測(cè)量時(shí)間，使儀器用*短時(shí)間達(dá)到*優(yōu)的分析效果。

v多基體分析

光路設(shè)計(jì)采用羅蘭圓結(jié)構(gòu)，檢測(cè)器上下交替排列，保證接收全部的譜線(xiàn)，不增加硬件設(shè)施，即可實(shí)現(xiàn)多基體分析；便于根據(jù)生產(chǎn)的需要增加基體及材料種類(lèi)和分析元素（無(wú)硬件成本）。

v軟件中英文系統(tǒng)

儀器軟件操作簡(jiǎn)單，完全兼容于Windows7/8/10系統(tǒng)。