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NETZSCH德國耐馳激光法導熱儀LFA 457 MicroFlash
NETZSCH德國耐馳激光法導熱儀LFA 457 MicroFlash

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產(chǎn)地

德國

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暫無
柜谷科技發(fā)展(上海)有限公司

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激光閃射法用于測量固體、粉末與液體樣品的熱擴散系數(shù)與導熱系數(shù)。該方法使用一束短促的激光脈沖加熱樣品正面,通過紅外 檢測器測量樣品背面溫度升高與時間的關系,得到樣品的熱擴散系數(shù)與導熱系數(shù)。這一非接觸式與非破壞式的測量技術具有樣品 制備簡易,所需樣品體積小,測量速度快,測量精度高等眾多優(yōu)點。

NETZSCH LFA 457 MicroFlash® 代表了當代激光閃射測量技術的**進展。儀器為桌上型,溫度范圍 -125 ... 1100°C。為了覆蓋這一溫度范圍,提供了兩種可自由切換的爐體。

系統(tǒng)所使用的全新的紅外傳感器技術使得用戶甚至可以在 -125°C 的低溫下測量樣品背部的溫升曲線。

儀器既可使用內(nèi)置的自動樣品切換器在一次升溫中對多個較小的樣品進行測量,也可單獨測量較大的樣品(**直徑 25.4mm)。

真空密閉系統(tǒng)使得儀器可以在多種用戶可選的氣氛中進行測量。

樣品支架、爐體與檢測器的垂直式排布方便了樣品的放置與更換,同時使得檢測信號擁有**的信噪比。

LFA 457 是*強大與靈活的 LFA 系統(tǒng),適用于包括汽車制造、航空航天與能源技術在內(nèi)的各種領域的常規(guī)材料與新型高性能材料的表征。

LFA 457 MicroFlash® - 技術參數(shù)

• 溫度范圍: -125 … 1100°C(不同爐體)

• 激光源:Nd:Glass 激光,能量可調(diào)

• 導熱系數(shù): 0.1 ... 2000W/mK

• 真空度: 10-2 mbar

• 樣品尺寸:方形 8 x 8mm,10 x 10mm 圓形 ?6mm,?10mm,?12.7mm,?25.4mm 厚度 0.1 … 6mm

• 測試氣氛: 真空、惰性或反應氣體

• 支架類型: 石墨、氧化鋁、碳化硅

• 樣品形態(tài): 固體、液體、粉末、薄膜

• 自動進樣器:1 或 3 個樣品位

LFA 457 MicroFlash® - 軟件功能
LFA 457 MicroFlash® 的測量與分析軟件是基于 MicroSoft Windows® 系統(tǒng)的 Proteus® 軟件包,它包含了所有必要的測量功能和數(shù)據(jù)分析功能。這一軟件包具有極其友善的用戶界面,包括易于理解的菜單操作和自動操作流程,并且適用于各種復雜的分析。Proteus 軟件既可安裝在儀器的控制電腦上聯(lián)機工作,也可安裝在其他電腦上脫機使用。

LFA 部分軟件功能:

• 精確的脈沖寬度修正與脈沖能量積分。

• 熱損耗修正。

• 集成了所有傳統(tǒng)模型。

• 使用非線性回歸進行 Cowan 擬合。

• 改進的 Cape-Lehmann 模型,使用非線性回歸,將多維熱損耗納入計算。

• 對于半透明樣品的輻射修正。

• 二層與三層結構樣品:通過非線性回歸方式進行擬合,并將熱損耗納入計算。

• 計算多層樣品的接觸熱阻。

• 比熱測量:使用已知比熱的標樣、通過比較法進行計算。

• 內(nèi)置數(shù)據(jù)庫。

LFA 457 MicroFlash® - 應用實例

多晶石墨

使用配有低溫系統(tǒng)的 LFA 457 對多晶石墨進行了測試,測試曲線上材料在室溫附近導熱系數(shù)達到**,一般解釋為由于該材料的 Debye 溫度較高(> 1000 K)所致。在峰值右側(cè)的高溫區(qū)域,熱擴散系數(shù)隨溫度上升而下降得比較快,主導了該區(qū)域的導熱系數(shù)變化的趨勢。峰值左側(cè)的低溫區(qū)則比熱下降的非???,這主導了低溫下該材料的導熱系數(shù)隨溫度變化的趨勢。

聚碳酸酯

聚碳酸酯(PC)是一種非常常見的聚合物材料,常用于電動工具包裝。為了通過有限元素模擬的方法以優(yōu)化生產(chǎn)/模制工藝,需要知道它的熱物性參數(shù)。如果使用 LFA 457 的熔融樣品容器,則不僅能測得固態(tài)下、也能測得玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上(> 140°C)的材料的熱擴散系數(shù)。若已知密度與比熱數(shù)據(jù)(可用 DSC 測試),則可計算得到導熱系數(shù)。此外,在比熱曲線與熱擴散曲線上還可以看到玻璃化轉(zhuǎn)變(在導熱系數(shù)曲線上則無法看到這一類似于二級相變的轉(zhuǎn)變過程)。

硅片-熱物理性質(zhì)

本例中,硅片的物理性質(zhì)由 LFA 457 MicroFlash® 測試。從 -100℃ 到 500℃,導熱性能和熱擴散系數(shù)持續(xù)降低。

比熱值用 DSC 204 F1 Phoenix® 測定。數(shù)據(jù)點的標準偏差小于 1 %。

Ag1-xPb18MTe20 - 導熱系數(shù)

下圖為 AgPb18Te20 150 oC到370 oC溫度范圍內(nèi)的導熱系數(shù)測試結果。晶格導熱系數(shù)可以根據(jù)測試得到的導熱系數(shù)計算得到。AgPb18Te20的總導熱系數(shù)(λtot) 和晶格導熱系數(shù)(λlatt) 呈現(xiàn)出溫度依賴性。

插圖為 Ag1-xPb18BiTe20 (x = 0, 0.3) 和 AgPb18BiTe20 (用 + 表示) 的導熱系數(shù)溫度依賴性比較。

PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 合金導熱系數(shù)

在碲化鉛材料 PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 中,通過調(diào)整 Ge 和 Si 的含量可以很容易調(diào)節(jié)合金的導熱系數(shù)。

下圖結果是在 25℃ 到 320℃ 溫度范圍內(nèi)獲得。圖A 顯示 Ge 不同的含量對 PbTe 的晶格導熱系數(shù)有很大的影響。在整個溫度范圍內(nèi),隨著 Ge 含量的降低,晶格導熱系數(shù)降低。另外,在上述體系加入 Si 元素后,晶格導熱系數(shù)進一步降低(圖B)。當 Ge 和 Si 的混合比例不變,將 Ge0.8Si0.2 含量降低時,可以看到類似的行為(圖C)。圖D 顯示當Ge-/Ge-si 的比例為 5% 時能夠得到**晶格導熱系數(shù)。

LFA 457 MicroFlash® - 相關附件

LFA 457 MicroFlash® 配有恒溫水浴,以保證溫度與長時間工作的穩(wěn)定性。

提供多種類型的真空泵,可以使得測試在真空或純凈無氧的惰性氣氛下進行。

流量計,用于調(diào)節(jié)吹掃氣體的流量。

由 SiC 或石墨制成的樣品支架與樣品罩,適用于標準樣品尺寸。

提供由鉑金、鋁、藍寶石等材料制成的多種類型不同尺寸的樣品支架或樣品容器,用于測量液體樣品、熔融金屬、礦渣與纖維等特殊樣品。

提供用于熱擴散系數(shù)驗證的標準樣品。

提供用于比熱測試的參比樣品。

制樣設備。

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