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Rpo-6型號(hào)拋光機(jī)

主要特點(diǎn)

技術(shù)

化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是用來(lái)對(duì)正在加工中的晶片或其他物料進(jìn)行平坦化處理的過(guò)程，而拋光技術(shù)則是利用了物理和化學(xué)的協(xié)同作用對(duì)晶片進(jìn)行的拋光，通過(guò)給儲(chǔ)存在拋光片里樣本的底座一個(gè)加載力而完成的，當(dāng)包含了研磨劑和活性化學(xué)劑兩種成分的拋光液通過(guò)底部時(shí)，拋光墊和樣本開(kāi)始計(jì)數(shù)旋轉(zhuǎn)。

原位摩擦

該儀器通過(guò)測(cè)量原位摩擦和磨損程度來(lái)研究基本的拋光技術(shù)，而摩擦的變化則可用來(lái)描述移除率的近似值。

原位墊片磨損

原位磨損率則可用來(lái)反應(yīng)在拋光，調(diào)節(jié)等情況下墊片的狀態(tài)。

狀態(tài)

原位和非原位調(diào)節(jié)

晶片尺寸

易于替換的晶片夾具可在同一測(cè)試儀上進(jìn)行拋光樣品的尺寸由1英寸至6英寸。

泵

獨(dú)立的可編程泵可提供泥漿，水以及其他的化工產(chǎn)品。

消耗品和相關(guān)咨詢

我們所提供的標(biāo)準(zhǔn)拋光材料里包含的不僅僅是儀器還有一系列的消耗品(拋光液、拋光墊等)，與此同時(shí)，我們科學(xué)團(tuán)隊(duì)也會(huì)為您提供有關(guān)工藝流程開(kāi)發(fā)和優(yōu)化的咨詢服務(wù)。

規(guī)格

人工晶片裝載

臺(tái)式CMP研發(fā)系統(tǒng)

l原位和非原位調(diào)節(jié)

l使用可編程泵的泥漿和水管

l高硬度和良好的力控制

l340mm的滾筒直徑

l6英寸的樣本

l原位摩擦和墊片磨損選

l打印尺寸 w870x，d800x，h870mm

l應(yīng)用程序—CMP，MEMS，消耗品測(cè)試

應(yīng)用

拋光

工藝開(kāi)發(fā)

環(huán)境開(kāi)發(fā)

拋光液開(kāi)發(fā)

拋光墊表征

粒子開(kāi)發(fā)