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全球先進(jìn)的原位薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，又名原位薄膜應(yīng)力計(jì)或原位薄膜應(yīng)力儀！MOS美國**技術(shù)（**號US 7，391，523 B1）！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！
采用非接觸激光MOS技術(shù)；不但可以準(zhǔn)確的對樣品表面應(yīng)力分布進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析，而且還可以進(jìn)行樣品表面二維應(yīng)力、曲率成像分析；客戶可自行定義選擇使用任意一個(gè)或者一組激光點(diǎn)進(jìn)行測量；并且這種設(shè)計(jì)可以保證所有陣列的激光光點(diǎn)一直在同一頻率運(yùn)動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結(jié)果的影響；同時(shí)大大提高了測試的分辨率；適合各種材質(zhì)和厚度薄膜應(yīng)力分析；
該設(shè)備已經(jīng)廣泛被全球知名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center，Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計(jì)量科學(xué)院等）、半導(dǎo)體制和微電子造商（如IBM.，Seagate Research Center，Phillips Semiconductor，NEC，Nissan ARC，Nichia Glass Corporation）等所采用；
相關(guān)產(chǎn)品：
薄膜應(yīng)力儀（薄膜應(yīng)力測量儀）：為獨(dú)立測量系統(tǒng)，同樣采用先進(jìn)的MOS技術(shù)，詳細(xì)信息請與我們聯(lián)系。
設(shè)備名稱：
2.單Port(樣品正上方)和雙Port(對稱窗口)系統(tǒng)設(shè)計(jì)；
3.適合MOCVD， MBE， Sputter，PLD、蒸収系統(tǒng)等各種真空薄膜沉積系統(tǒng)以及熱處理設(shè)備等；
4.薄膜應(yīng)力各向異性測試和分析功能；
5.生長速率和薄膜厚度測量；（選件）
6.光學(xué)常數(shù)n&k 測量；（選件）
7.多基片測量功能；（選件）
8.基片旋轉(zhuǎn)追蹤測量功能；（選件）
9.實(shí)時(shí)光學(xué)反饋控制技術(shù)，系統(tǒng)安裝時(shí)可設(shè)置多個(gè)測試點(diǎn)；
10.專業(yè)設(shè)計(jì)免除了測量受真空系統(tǒng)振動影響；
測試功能：
1. 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力測量
2.實(shí)時(shí)原位薄膜曲率測量
3.實(shí)時(shí)原位應(yīng)力*薄膜厚度曲線測量
4.實(shí)時(shí)原位薄膜生長全過程應(yīng)力監(jiān)控等
實(shí)時(shí)原位測量功能實(shí)例：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、應(yīng)力—薄膜厚度曲線、多層薄膜應(yīng)力測量分析等；
暫無數(shù)據(jù)！
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