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miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表
miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表

參考價(jià)格

1-5萬(wàn)元

型號(hào)

普賽斯S100

品牌

普賽斯儀表

產(chǎn)地

武漢

樣本

暫無(wú)
武漢普賽斯儀表有限公司

會(huì)員

|

第3年

|

生產(chǎn)商

工商已核實(shí)

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核心參數(shù)
  • 誤差率:

    0.1%
  • 分辨率:

    100pA
  • 重現(xiàn)性:

    無(wú)
  • 儀器原理:

    圖像分析
  • 分散方式:

    數(shù)字
  • 測(cè)量時(shí)間:

    s
  • 測(cè)量范圍:

    ±300uV-±300V/±100pA-±1A
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  • MiniLED光電特性測(cè)試

    MiniLED芯片在被封裝前后,需要經(jīng)過(guò)檢測(cè)工序,以剔除其中的不合格品。其中,光電性能檢測(cè)是非常重要的指標(biāo)參數(shù)。光電性能檢測(cè)是指對(duì)晶圓上的芯片,或者封裝后的成品,對(duì)其電壓(V)、電流(I),VFD,波長(zhǎng)(WD)、亮度(LOP)、抗靜電能力(ESD),等光電性性能逐一進(jìn)行測(cè)試,得到實(shí)際數(shù)值,進(jìn)而為后續(xù)加工生產(chǎn)提供可靠的產(chǎn)品實(shí)際性能信息。由于Mini   LED具有尺寸小,使用數(shù)量大等特性,因此,其光電特性測(cè)試也提出了新的要求。

    高精度微弱電流

    由于MiniLED本身的特性,正向點(diǎn)亮測(cè)試時(shí),輸入電流較小,一般在mA,甚至uA級(jí);反向高壓漏電流測(cè)試,電流甚至低至nA級(jí)。精確穩(wěn)定地輸出與測(cè)量電流,是獲取準(zhǔn)確測(cè)試結(jié)果數(shù)據(jù)的先決條件。

    高效率

    MiniLED生產(chǎn)工藝效率要求高,預(yù)留給芯片的電性能測(cè)試時(shí)間,一般控制在十幾ms以?xún)?nèi)。高效快速的輸出與檢測(cè)電壓、電流,是提升生產(chǎn)效率的重要保證。

    廣泛兼容性

    Mini   LED測(cè)試,往往需采用自動(dòng)化設(shè)備來(lái)進(jìn)行,且測(cè)試項(xiàng)目包含電壓,電流等電特性參數(shù),以及光譜,光功率等光性能參數(shù)。廣泛的軟硬件兼容性,有助于終端用戶(hù),根據(jù)實(shí)際測(cè)試要求,選配不同測(cè)試儀器,以及自動(dòng)化設(shè)備。

     


  • 利用數(shù)字源表進(jìn)行Mini LED光電特性測(cè)試

    實(shí)施MiniLED光電特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表(SMU)。數(shù)字源表作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源,輸出恒壓或恒流、還可以當(dāng)作表,進(jìn)行電壓或者電流測(cè)量;支持Trig觸發(fā),可實(shí)現(xiàn)與光譜儀,探針臺(tái),分選機(jī)等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)工作。

    目前,光電性能檢測(cè)是通過(guò)Mini   LED點(diǎn)測(cè)機(jī)實(shí)現(xiàn)的,用于測(cè)量晶圓上每一顆芯片。點(diǎn)測(cè)機(jī)的主要結(jié)構(gòu)單元包括探針臺(tái),電性能測(cè)試單元,光性能測(cè)試單元,以及上位機(jī)控制系統(tǒng)等。該工序根據(jù)實(shí)際情況,位于晶圓劃片前,或者后工序。設(shè)備基本構(gòu)成主要包括探針臺(tái),電子顯微鏡,SMU,ESD,工控機(jī),積分球,光譜儀等。其中,SMU的作用是對(duì)芯片進(jìn)行IV特性測(cè)試,同時(shí)在光學(xué)測(cè)試中,對(duì)芯片進(jìn)行供電。

    常用的電性能測(cè)試項(xiàng)目包括,VF1,VF2,IR,VZ,VFD,DVF等。

    ⑴ VF(正向電壓)測(cè)試, FIMV: 一般會(huì)測(cè)兩個(gè)點(diǎn), D一個(gè)點(diǎn)VF1 LED剛點(diǎn)亮?xí)r電壓, 第二個(gè)點(diǎn)VF2LED 正常工作時(shí)的電壓;
    ⑵ VZ(反向擊穿電壓)測(cè)試, FIMV:一定反向電流時(shí),器件兩端的電壓;
    ⑶ IR(反向泄露電流)測(cè)試, FVMI: 一定反向電壓時(shí), 流過(guò)器件的電流;
    ⑸ DVF 測(cè)試,材料熱縮效應(yīng)測(cè)試, FIMV: 對(duì)LED施加兩次不同的電流,并計(jì)算不同條件下的電壓差;
    ⑹ VFD 測(cè)試,正向電壓暫態(tài)峰值電壓測(cè)試, FIMV: 對(duì)LED施加一定的正向電流,同時(shí)采集電壓變化,   尖峰電壓與正常電壓的差值即為VFD;                                          

  • miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表,詳詢(xún)一八一四零六六三四七六;武漢普賽斯一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體LED,激光器電性能測(cè)試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),S先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表Mini LED源表測(cè)試系統(tǒng)等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體LED,激光器等產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、測(cè)試場(chǎng)景夠根據(jù)用戶(hù)的需求提供高性能,高效率,高性?xún)r(jià)比的半導(dǎo)體,LED,激光器測(cè)試系統(tǒng)級(jí)解決方案。miniled光電特性測(cè)試數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)生產(chǎn)廠家武漢普賽斯儀表

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武漢普賽斯一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體,LED,激光器的光電性能測(cè)試儀表開(kāi)發(fā),基于核心算法和系統(tǒng)繼承等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),S先自主研發(fā)了高精度數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖源表、集成插卡式源表,Mini LED源表測(cè)試系統(tǒng)等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體,LED,激光器等產(chǎn)品的生產(chǎn)、研發(fā)、測(cè)試場(chǎng)景??蓧蚋鶕?jù)用戶(hù)的需求提供高性能,高效率,高性?xún)r(jià)比的半導(dǎo)體,LED,激光器測(cè)試系統(tǒng)級(jí)解決方案

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電子/通訊

2022-11-04

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