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面議型號(hào)
PHI ADEPT 1010品牌
高德英特產(chǎn)地
北京樣本
暫無(wú)分散方式：
*測(cè)量時(shí)間：
*測(cè)量范圍：
*誤差率：
*分辨率：
*重現(xiàn)性：
*儀器原理：
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PHI ADEPT 1010
簡(jiǎn)介
動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀（D-SIMS）是使用一次離子束（通常是Cs源）轟擊樣品表面，而產(chǎn)生二次離子，然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比（m/q），從而得知元素在樣品中的深度分布，是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的強(qiáng)有力的工具。
優(yōu)勢(shì)
ULVAC-PHI **設(shè)計(jì)的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀ADPT1010，在原有的PHI6300和PHI6600的基礎(chǔ)上，改善了離子光學(xué)系統(tǒng)，是在一次離子能量低至250eV時(shí)，仍保持有效的濺射束流的動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)（D-SIMS）。
特點(diǎn)
大束流低能量離子槍設(shè)計(jì)，極大的提高了深度分辨率
高性能離子光學(xué)系統(tǒng)，改善了二次離子傳輸效率，在提高分析效率的同時(shí)又提高了檢測(cè)靈敏度
高精度全自動(dòng)5軸樣品操控臺(tái)
不同方向進(jìn)入檢測(cè)器的二次離子，均可被高靈敏地收集檢測(cè)
應(yīng)用實(shí)例分析
采用一次離子源Cs在加速5kV束流為100nA的條件下，分析GaAs中注入的H，C，O元素。可以看到H檢測(cè)限值7.1X1016 atm/cm3，O檢測(cè)限值4.4X1015 atm/cm3，C檢測(cè)限值2.0X1015 atm/cm3。
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