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脈沖等離子PulsPlasma?系統包括真空爐室，輔助加熱系統，保溫系統，溫度測量系統，鐘罩提升系統，工藝氣體循環(huán)系統，冷卻系統，工藝控制系統以及離子發(fā)生器系統。這其中的離子發(fā)生器系統是普發(fā)拓普公司的**設計，可以完全避免打弧現象的發(fā)生而且節(jié)能效果明顯。爐體可以是鐘罩式設計，也可以是井式爐或臥式設計。根據設備的大小，加熱控制區(qū)至少配有三組獨立控制升溫和降溫的加熱器，通過這些獨立控制的加熱器獲得**的均溫性。
工藝特點：
通過熱壁技術實現良好的均溫性
工藝氣體消耗少，沒有污染氣體
靈活的滲氮溫度，溫度范圍 300 ℃ - 600 ℃
白亮層可控
可處理不銹鋼
可處理燒結鋼
可以在同一爐工藝集成脈沖離子氮化-氧化工藝
設備特點：
不產生打弧，工件表面無破壞
獨特的加熱和控制系統，至少3區(qū)獨立的加熱和冷卻區(qū)域，
控制區(qū)溫度均勻分布
獨有的PulsPlasma?電源，電壓和電流近乎方波，幾微妙內獲得
設定的全部脈沖電流，主動抑制打弧監(jiān)測（開關時間< 0.1 μs）
電源可升級至5年質保
可在低溫下對工件表面進行等離子清洗
設備布局緊湊，節(jié)省空間，所有部件集成在一個基礎框架內
模塊化設計，提供單室型、交替型和雙室型設備
特殊航天保溫材料，熱容量低，功率損耗低，節(jié)省重量
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